HBM

HBM(High Bandwidth Memory)은 전통적인 DDR 메모리와는 다른 독특한 메모리 인터페이스를 사용합니다. HBM은 3D 적층 DRAM 기술을 기반으로 하며, 이는 DDR4나 GDDR5에 비해 훨씬 더 넓은 메모리 버스와 높은 대역폭을 제공합니다.

HBM은 여러 DRAM 다이를 수직으로 쌓고, 실리콘 관통 비아(TSV)를 통해 연결함으로써 더 넓은 인터페이스와 높은 데이터 전송 속도를 구현합니다. DDR과 달리, HBM은 GPU나 AI 가속기와 같은 고성능 컴퓨팅 애플리케이션에서 높은 대역폭과 효율성이 중요한 경우에 사용되도록 설계되었습니다.

 

HBM (High Bandwidth Memory) uses a unique memory interface that differs from traditional DDR memory. It is based on 3D-stacked DRAM technology, which allows for a much wider memory bus and higher bandwidth compared to DDR4 or GDDR5.
HBM achieves this by stacking multiple DRAM dies vertically and connecting them through through-silicon vias (TSVs), enabling a wider interface and higher data transfer rates.
Unlike DDR, HBM is specifically designed for high-performance computing applications, such as GPUs and AI accelerators, where high bandwidth and efficiency are critical.